|
|
Degradation of GaAs Solar Cells
Papež, Nikola ; Pinčík,, Emil (referee) ; Lazar, Josef (referee) ; Sobola, Dinara (advisor)
Solární články na bázi arsenidu gallia patří mezi nejvýkonější typ dostupných solárních článků vůbec. Jejich výhodou je výborná odolnost vůči tepelnému a ionizujícímu záření, a proto se využívají zejména v náročných podmínkách. Tato disertační práce popisuje stav GaAs fotovoltaických článku vystavených vůči tepelnému namáhání, vysokému ochlazování, gama záření a ozáření širokospektrálním laserem. Vzorky byly zkoumány před, po a i během těchto procesů pomocí několika analytických a charakterizačních metod. Měření bylo zaměřeno na charakterizaci povrchu, optických a elektrických vlastností. Byly objeveny limity a nové chování tohoto typu článků, které jsou ovlivněny i tenkými ochrannými a antireflexními vrstvami.
|
|
|
Degradation of GaAs Solar Cells
Papež, Nikola ; Pinčík,, Emil (referee) ; Lazar, Josef (referee) ; Sobola, Dinara (advisor)
Solární články na bázi arsenidu gallia patří mezi nejvýkonější typ dostupných solárních článků vůbec. Jejich výhodou je výborná odolnost vůči tepelnému a ionizujícímu záření, a proto se využívají zejména v náročných podmínkách. Tato disertační práce popisuje stav GaAs fotovoltaických článku vystavených vůči tepelnému namáhání, vysokému ochlazování, gama záření a ozáření širokospektrálním laserem. Vzorky byly zkoumány před, po a i během těchto procesů pomocí několika analytických a charakterizačních metod. Měření bylo zaměřeno na charakterizaci povrchu, optických a elektrických vlastností. Byly objeveny limity a nové chování tohoto typu článků, které jsou ovlivněny i tenkými ochrannými a antireflexními vrstvami.
|
|
|
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Growth of the Ga.sub.x./sub.In.sub.1-x./sub.P/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800.sup.o./sup.C to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of the ternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested.
|
guest ::
